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摘要:
器件稳健性设计本质上是一个多个目标的优化问题.将实验设计和响应表面方法相结合可用来满足减少所需的TCAD模拟次数的强烈需求.然而对一些非线性问题,RSM模型的误差可能会大到影响设计结果的有效性.为找到可行空间,提出了一种考虑RSM模型误差时,面向目标的多代设计方法.通过在由当前代中的RSM模型结果所得到的有希望空间中增加设计,使得模型误差减小并得到可行空间.对FIBMOS例子的结果显示本方法是有效的.
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文献信息
篇名 利用响应表面方法的器件稳健性设计
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 响应表面方法 实验设计 器件稳健性设计
年,卷(期) 2002,(8) 所属期刊栏目 研究快报
研究方向 页码范围 817-824
页数 8页 分类号 TN402
字数 1003字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.08.007
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 谢晓锋 清华大学微电子学研究所 13 985 5.0 13.0
2 张文俊 清华大学微电子学研究所 30 1031 6.0 30.0
3 杨之廉 清华大学微电子学研究所 27 1025 6.0 27.0
4 鲁勇 清华大学微电子学研究所 10 33 4.0 5.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
响应表面方法
实验设计
器件稳健性设计
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
6983
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