SiC多型体几何结构与电子结构研究

• 作者: 姜振益 张富强 武海顺 许小红 金志浩
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 密度泛函理论,电子结构 SiC
• 年，卷（期）: 2002,（7）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1586-1590
• 页数: 5页
• 分类号: TB3
• 字数: 2676字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.07.031

摘要

采用平面波超软赝势法和范数不变赝势法对几种SiC多型体的几何结构、能带结构等进行了系统的研究.结果表明:6H SiC导带最低点在ML线上U点,用平面波超软赝势法计算时U点在(0.000,0.500,0.176)点附近;而用范数不变赝势法计算时在导带最低点附近能带呈现不连续点,不连续点出现在(0.000,0.500,0.178)点附近.两种赝势法计算结果相比,用平面波超软赝势法得到的导带最低点位置更靠近布里渊区M(0,0.5,0)点.在平面波超软赝势下,随着六角度的增加,c/p,c/pa增大的趋势较为明显,能隙和价带宽度变宽的趋势也较为明显.在计算极限内,绝对零度下4H SiC系统能量最低、最稳定,而Ewald能量显示3C SiC最稳定.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姜振益	西安交通大学材料科学与工程学院	4	18	3.0	4.0
5	许小红	山西师范大学材料化学研究所	52	298	10.0	13.0
6	武海顺	山西师范大学材料化学研究所	126	524	11.0	16.0
7	张富强	山西师范大学材料化学研究所	18	140	6.0	11.0
8	金志浩	西安交通大学材料科学与工程学院	325	5024	34.0	51.0