p型扩散区(SiO2/Si系扩Ga)的俄歇分析

• 作者: 孙瑛 王凤英
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiO2层 镓扩散 重金属杂质 俄歇分析
• 年，卷（期）: 2002,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1088-1092
• 页数: 5页
• 分类号: TN301
• 字数: 3522字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.10.016

摘要

采用Ga在SiO2/Si系扩散途径,对扩Ga硅片进行了俄歇分析,在p型区未发现重金属杂质,表明热氧化SiO2层对外来重金属有良好的屏蔽作用,而且有利于提高硅器件的电参数性能、稳定性和可靠性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙瑛		9	50	3.0	7.0
2	王凤英		1	0	0.0	0.0