空间实用背场Si太阳电池和GaAs/Ge太阳电池性能随质子辐照注量变化的比较

• 作者: 司戈丽 周宏余 姚淑德 张新辉 朱升云 王勇刚 王荣 翟佐绪 郭增良
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Si太阳电池 GaAs/Ge太阳电池 质子辐照
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 49-52
• 页数: 4页
• 分类号: TM914
• 字数: 2397字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.01.011

摘要

研究了空间实用背场Si太阳电池和GaAs/Ge太阳电池性能随质子辐照注量1×109～5×1013cm-2的变化.实验表明,两种太阳电池的电性能随辐照注量增加有不同的衰降趋势.背场Si太阳电池性能参数Isc、Voc和Pmax衰降变化快,辐照注量为2×1010cm-2时,Pmax就已衰降为原值的75%;而GaAs/Ge电池对应相同的衰降辐照注量达8×1011cm-2,且其Isc、Voc和Pmax衰降变化起初缓慢,当辐照注量接近3×1012cm-2时才迅速下降.背场Si电池和GaAs/Ge电池性能衰降分别与质子辐照引入的Ev+0.14eV及Ev+0.43eV和Ec-0.41eV深能级有关.