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摘要:
用射频反应溅射制备了FeTaN纳米晶软磁薄膜.研究了薄膜结构和磁性与制备条件的依赖关系.研究发现,当Ta的含量较高时,在N2+Ar混合气氛中易形成沉积态薄膜的非晶结构.适当的热处理后,α-Fe纳米晶从中晶化生成.薄膜显示出优良的软磁特性.
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文献信息
篇名 射频溅射FeTaN纳米晶软磁薄膜结构和磁性
来源期刊 物理学报 学科 物理学
关键词 纳米晶 软磁性 非晶态
年,卷(期) 2002,(4) 所属期刊栏目 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
研究方向 页码范围 908-912
页数 5页 分类号 O4
字数 3745字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.04.039
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 白建民 兰州大学磁性材料研究所 14 138 5.0 11.0
2 谢天 兰州大学磁性材料研究所 4 20 3.0 4.0
3 魏福林 兰州大学磁性材料研究所 27 223 7.0 14.0
4 杨正 兰州大学磁性材料研究所 21 226 8.0 14.0
5 郑代顺 兰州大学磁性材料研究所 8 80 5.0 8.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
纳米晶
软磁性
非晶态
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
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相关学者/机构
期刊影响力
物理学报
半月刊
1000-3290
11-1958/O4
大16开
北京603信箱
2-425
1933
chi
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