光伏法研究硅单晶表面态真空敏感机理

• 作者: 丁小勇 周海文 孙宜阳 颜永美
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 半导体表面态 真空敏感机理 光伏方法
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 21-25
• 页数: 5页
• 分类号: O472+.1
• 字数: 4714字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.01.005

摘要

根据光伏方法研究的半导体表面气体分子吸附机理,提出了硅单晶表面态真空敏感效应的机理模型,解释了表面态敏感型的真空传感器的各有关观测结果.因此可以确认,硅单晶表面态对真空敏感的实质原因就是由于构成大气主要成份的氮气和氧气两种元素的电子亲和势相对于硅元素,具有明显不同的且符号相反的差值,导致吸附于硅表面的N2、O2分子与硅表面态之间不同转移方向的电荷转移差值可以随真空度变化所引起的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	颜永美	厦门大学物理系	5	9	2.0	3.0
2	孙宜阳	厦门大学物理系	2	0	0.0	0.0
3	丁小勇	厦门大学物理系	3	0	0.0	0.0
4	周海文	厦门大学物理系	5	21	3.0	4.0