φ76mm GaAs有源器件模型库

• 作者: 李拂晓 蒋幼泉 郝西萍 陈效建 陈新宇
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 模型 模型库 场效应晶体管 膺配高电子迁移率晶体管 φ76mm砷化镓
• 年，卷（期）: 2002,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 983-987
• 页数: 5页
• 分类号: TN702
• 字数: 3021字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.09.017

摘要

采用基于测量S参数和直流参数的工程模型与微波在片测试技术,建立与φ76mm GaAs工艺线直接结合的GaAs器件(MESFET,PHEMT)的MMIC CAD适用器件模型及模型库,并通过对不同种类GaAs MMIC的设计研制进行了验证与改进,模拟结果和测试结果基本一致.目前此模型和模型库已用于φ76mm GaAs工艺线上多种微波GaAs单片的设计研制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋幼泉		34	192	9.0	11.0
2	李拂晓		60	352	10.0	14.0
3	陈效建		40	253	9.0	14.0
4	陈新宇		26	101	7.0	8.0
5	郝西萍		9	28	3.0	5.0