采用非对称结构和注Ge的部分耗尽SOI nMOSFET的浮体效应

• 作者: 刘新宇 刘运龙 海潮和 钱鹤 韩郑生
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SOI nMOSFET 浮体效应 注Ge
• 年，卷（期）: 2002,（11）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1154-1157
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 374字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.11.005

摘要

研究了一种采用非对称结构和注Ge的部分耗尽0.8μm SOI nMOSFET的浮体效应,实验结果表明这种结构能够提高漏端击穿电压约1V,减轻反常亚阈值斜率和kink现象.浮体效应的减少是由于源区的浅结和注Ge 引入的晶体缺陷减少了寄生的横向npn晶体管的电流增益.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘新宇	中国科学院微电子中心	141	717	13.0	18.0
2	海潮和	中国科学院微电子中心	72	277	9.0	13.0
3	韩郑生	中国科学院微电子中心	122	412	10.0	12.0
4	钱鹤	中国科学院微电子中心	32	164	7.0	12.0
5	刘运龙	中国科学院微电子中心	5	28	3.0	5.0