CMOS/SOI 4Kb SRAM总剂量辐照实验

• 作者: 刘忠立 刘新宇 刘运龙 吴德馨 和致经 孙海锋
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS/SOI 4Kb SRAM 抗总剂量辐照
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 213-216
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 字数: 1944字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.02.021

摘要

研究了CMOS/SOI 4Kb静态随机存储器的抗总剂量辐照性能.CMOS/SOI 4Kb静态随机存储器采用1K×4的并行结构体系,其地址取数时间为30ns,芯片尺寸为3.6mm×3.84mm;在工作电压为3V时,CMOS/SOI 4Kb静态随机存储器抗总剂量高达5×105Rad(Si),能较好地满足军用和航天领域的要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙海锋	中国科学院微电子中心	12	45	4.0	6.0
2	刘新宇	中国科学院微电子中心	141	717	13.0	18.0
3	吴德馨	中国科学院微电子中心	58	345	11.0	14.0
4	刘忠立	中国科学院半导体研究所	77	412	12.0	14.0
5	和致经	中国科学院半导体研究所	36	229	9.0	13.0
6	刘运龙	中国科学院微电子中心	5	28	3.0	5.0