应用遗传算法实现MOS器件综合

• 作者: 姚依 张文俊 李钊 杨之廉 谢晓锋 阮骏
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 器件综合 器件参数化表示 遗传算法
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 95-101
• 页数: 7页
• 分类号: TN47
• 字数: 5334字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.01.022

摘要

研究了将遗传算法应用于器件综合问题,针对参数化的器件空间设计了相应的适应度函数和遗传算子,可用来得到器件的可行设计空间及研究参数对器件性能的影响.对FIBMOS器件的综合设计研究结果显示了本方法的有效性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢晓锋	清华大学微电子学研究所	13	985	5.0	13.0
2	张文俊	清华大学微电子学研究所	30	1031	6.0	30.0
3	杨之廉	清华大学微电子学研究所	27	1025	6.0	27.0
4	李钊	清华大学微电子学研究所	16	38	4.0	5.0
5	阮骏	清华大学微电子学研究所	4	45	3.0	4.0
6	姚依	清华大学微电子学研究所	4	26	3.0	4.0