低压VDMOSFET'Ron的最佳比例设计研究

• 作者: 孙正地 张颖 王中文 石广源 高嵩
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: VDMOSFET 特征导通电阻 氧化层厚度 结深
• 年，卷（期）: 2002,（12）
• 所属期刊栏目: 微电子技术
• 页码范围: 56-58,36
• 页数: 4页
• 分类号: TH12
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7180.2002.12.018

摘要

文章以正方形单胞为例,较系统地分析了VDMOSFET的特征导通电阻与结构参数之间的关系.重点讨论了N沟道VDMOSFET的P-体扩散区结深Xjp-和栅氧化物厚度Tox对器件特征导通电阻RonA的影响.首次给出了多晶硅窗口区尺寸PW和多晶区尺寸PT的最佳化设计比例PW/PT与Xjp-和Tox的关系.最后阐述了器件的最佳化设计思想.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	石广源		39	119	6.0	8.0
2	王中文		18	108	6.0	9.0
3	高嵩		16	117	6.0	10.0
4	张颖		18	52	4.0	6.0
5	孙正地		1	16	1.0	1.0