利用电阻场板提高SOI-LIGBT的性能

• 作者: 杨洪强 陈星弼 韩磊
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电阻场板 动态控制阳极短路 关断时间 击穿电压 正向导通压降
• 年，卷（期）: 2002,（10）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1014-1018
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 804字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.10.002

摘要

通过在SOI-LIGBT中引入电阻场板和一个p-MOSFET结构,IGBT的性能得以大幅提高.p-MOSFET的栅信号由电阻场板分压得到.在IGBT关断过程中,p-MOSFET将被开启,作为阳极短路结构起作用,从而使漂移区的过剩载流子迅速消失,IGBT快速关断.而且由于电场受到电阻场板的影响,使得过剩载流子能沿着一个更宽的通道流过漂移区,几乎消去了普通SOI-LIGBT由于衬偏造成的关断的第二阶段.这两个因素使得新结构的关断时间大大减少.在IGBT的开启状态,由于p-MOSFET不导通,因此器件的开启特性几乎与普通器件一致.模拟结果表明,新结构至少能增加25%的耐压,减少65%的关断时间.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈星弼	电子科技大学微电子与固体电子学院	31	254	8.0	15.0
2	韩磊	电子科技大学微电子与固体电子学院	7	42	4.0	6.0
3	杨洪强	电子科技大学微电子与固体电子学院	6	41	4.0	6.0