VHF-PECVD法氢化微晶硅薄膜的低温制备

• 作者: 任慧智 吴春亚 张丽珠 李岩 李洪波 杨恢东 熊绍珍 耿新华 薛俊明 麦耀华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 微晶硅薄膜 甚高频等离子体增强化学气相沉积 沉积速率 结晶度
• 年，卷（期）: 2002,（9）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 902-908
• 页数: 7页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 1268字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.09.002

摘要

采用VHF-PECVD方法,以高氢稀释的硅烷为反应气体,低温条件下成功地制备了系列μc-Si∶H薄膜.对薄膜的厚度测量表明:增大激发频率和反应气压能有效提高沉积速率;随着等离子体功率密度的增大,沉积速率呈现出先增后减的变化.薄膜的Raman光谱、XRD及TEM等测试结果表明:提高衬底温度或减小硅烷浓度,可增大薄膜的结晶度和平均晶粒尺寸;等离子体激发频率的增大只影响薄膜的结晶度,并使结晶度出现极大值;薄膜中存在 (111)、(220)和(311)三个择优结晶取向,且各结晶取向的平均晶粒尺寸不同.