高阻碲锌镉单晶体的生长及其性能观测

• 作者: 朱世富 李奇峰 蔡力 赵北君 金应荣 高德友
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Cd0.8Zn0.2Te 单晶生长 布里奇曼法 室温核辐射探测器
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 157-160
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+6
• 字数: 2031字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.02.009

摘要

报道了采用富Cd原料的无籽晶垂直布里奇曼法生长高阻碲锌镉Cd0.8Zn0.2Te(CZT)单晶体的新工艺,对所生长的晶体作了X射线衍射分析、红外透过率测试、光吸收截止波长测量及电学性能测试.晶体在4400～450cm-1范围内的红外透过率达到50%,截止吸收波长为787.6nm,带隙为1.574eV,室温电阻率达到2×1010Ω·cm,已接近本征Cd0.8Zn0.2Te半导体的理论值.用该晶体制作的核探测器在室温下对241Am和109Cd放射源均有响应,并获得了比较好的241Am-59.5keV吸收谱.结果表明改进的方法是一种生长室温核辐射探测器应用的高阻CZT单晶体的简便有效的新方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱世富	四川大学材料科学系	151	840	14.0	20.0
2	赵北君	四川大学材料科学系	132	744	14.0	19.0
3	高德友	四川大学材料科学系	13	135	6.0	11.0
4	金应荣	四川大学材料科学系	8	31	4.0	5.0
5	李奇峰	四川大学材料科学系	7	31	4.0	5.0
6	蔡力	四川大学材料科学系	2	7	1.0	2.0