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摘要:
应用场助热电子发射(thermionic field emission)模型合理地分析了多晶硅薄膜晶体管中显著漏电流与器件参数及电极电压等因素间的内在关系,讨论了源漏轻掺杂结构在抑制漏电流方面的物理机制,并给出轻掺杂结构参数(如轻掺杂浓度、轻掺杂区域长度等)的优化设计,为多晶硅薄膜晶体管的器件设计提供了可靠的理论依据.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 多晶硅薄膜晶体管源漏轻掺杂结构的优化设计
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 薄膜晶体管 热电子发射
年,卷(期) 2002,(4) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 414-418
页数 5页 分类号 TN32
字数 2729字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.04.016
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 杨柏梁 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 12 90 7.0 9.0
2 李牧菊 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 5 16 2.0 4.0
传播情况
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1996(1)
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2002(0)
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研究主题发展历程
节点文献
薄膜晶体管
热电子发射
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
6983
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8
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35317
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