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多晶硅薄膜晶体管源漏轻掺杂结构的优化设计
多晶硅薄膜晶体管源漏轻掺杂结构的优化设计
作者:
李牧菊
杨柏梁
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
薄膜晶体管
热电子发射
摘要:
应用场助热电子发射(thermionic field emission)模型合理地分析了多晶硅薄膜晶体管中显著漏电流与器件参数及电极电压等因素间的内在关系,讨论了源漏轻掺杂结构在抑制漏电流方面的物理机制,并给出轻掺杂结构参数(如轻掺杂浓度、轻掺杂区域长度等)的优化设计,为多晶硅薄膜晶体管的器件设计提供了可靠的理论依据.
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期刊文献
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数
(/次)
(/年)
文献信息
篇名
多晶硅薄膜晶体管源漏轻掺杂结构的优化设计
来源期刊
半导体学报
学科
工学
关键词
薄膜晶体管
热电子发射
年,卷(期)
2002,(4)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
414-418
页数
5页
分类号
TN32
字数
2729字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0253-4177.2002.04.016
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
杨柏梁
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
12
90
7.0
9.0
2
李牧菊
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
5
16
2.0
4.0
传播情况
被引次数趋势
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献
(0)
共引文献
(0)
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(1)
节点文献
引证文献
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二级引证文献
(0)
1996(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2002(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
薄膜晶体管
热电子发射
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
开本:
大16开
出版地:
北京912信箱
邮发代号:
2-184
创刊时间:
1980
语种:
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
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