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摘要:
研究了复合材料表面CVD SiC涂层的制备工艺,并对涂层的表面致密化性能进行分析.在不同的工艺条件下制备SiC涂层,探讨了温度、载气流速、时间等因素对涂层的影响.利用扫描电镜和X-射线衍射仪,对涂层晶型进行分析,讨论不同条件下SiC的结晶形态,从而得出制备致密涂层的较好工艺.
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内容分析
关键词云
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文献信息
篇名 CVD SiC涂层的致密化工艺研究
来源期刊 新技术新工艺 学科 工学
关键词 CVD SiC 涂层 致密 复合材料
年,卷(期) 2002,(12) 所属期刊栏目 材料与表面处理
研究方向 页码范围 38-40
页数 3页 分类号 TG1
字数 2679字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-5311.2002.12.020
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张长瑞 国防科技大学航天与材料工程学院 138 1800 24.0 32.0
2 周新贵 国防科技大学航天与材料工程学院 93 1060 19.0 27.0
3 刘晓阳 国防科技大学航天与材料工程学院 7 79 6.0 7.0
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CVD SiC 涂层 致密 复合材料
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新技术新工艺
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11-1765/T
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1979
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