深亚微米隔离技术--浅沟槽隔离工艺

• 作者: 徐秋霞 欧文 王新柱 申作成 钱鹤
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 浅沟槽隔离 化学机械平坦化 Kink效应 反窄宽度效应
• 年，卷（期）: 2002,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 323-329
• 页数: 7页
• 分类号: TN405
• 字数: 3321字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.03.019

摘要

研究了浅沟槽隔离(STI)工艺的各主要工艺步骤:沟槽的形成、沟槽顶角的圆滑、沟槽填充以及化学机械抛光平坦化.使用器件模拟软件Medici和Davinci分析了STI结构的隔离性能以及沟槽隔离MOSFET的Kink效应和反窄宽度效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐秋霞	中国科学院微电子中心	37	108	6.0	8.0
2	钱鹤	中国科学院微电子中心	32	164	7.0	12.0
3	欧文	中国科学院微电子中心	27	81	6.0	7.0
4	王新柱	中国科学院微电子中心	2	7	1.0	2.0
5	申作成	中国科学院微电子中心	3	7	1.0	2.0