在量子阱中自组织量子点结构GaN/AlxGa1-xN的电子能谱

• 作者: 刘承师 王立民 马本堃
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 在阱中的量子点 电子能级结构 光致发光峰波长
• 年，卷（期）: 2002,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1051-1056
• 页数: 6页
• 分类号: O471.1
• 字数: 3701字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.10.009

摘要

在有效质量近似框架内,采用绝热近似,计算了在量子阱中GaN/AlxGa1-xN自组织量子点系统的电子结构和光学性质.计算表明系统的电子能级随量子点受限势的增大而升高,随量子点尺寸的增大而降低,而且量子阱的宽度和量子点浸润层厚度的增加也会导致能级值有所降低.说明结构参数会使在阱中的量子点的光致发光峰波长发生相应的蓝移或红移,与已知的实验结果一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘承师	北京师范大学物理系和理论物理研究所	7	10	2.0	2.0
2	马本堃	北京师范大学物理系和理论物理研究所	17	27	3.0	4.0
3	王立民	北京师范大学物理系和理论物理研究所	5	13	3.0	3.0