超深亚微米集成电路中的互连问题--低k介质与Cu的互连集成技术

• 作者: 康晋锋 王阳元
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 互连集成技术 互连的限制和挑战 低k介质 Cu互连 三维集成互连 RF互连 光互连
• 年，卷（期）: 2002,（11）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 1121-1134
• 页数: 14页
• 分类号: TN405.97
• 字数: 14191字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.11.001

摘要

半导体集成电路技术的发展对互连技术提出了新的需求,互连集成技术在近期和远期发展中将面临一系列技术和物理限制的挑战,其中Cu互连技术的发明是半导体集成电路技术领域中具有革命性的技术进展之一,也是互连集成技术的解决方案之一.在对互连集成技术中面临的技术与物理挑战的特点和可能的解决途径概括性介绍的基础上,重点介绍和评述了低k介质和Cu的互连集成技术及其所面临关键的技术问题,同时还对三维集成互连技术、RF互连技术和光互连技术等Cu互连集成技术之后的可能的新一代互连集成技术和未来互连技术的发展趋势给予了评述和展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王阳元	北京大学微电子学研究所	78	1128	15.0	32.0
2	康晋锋	北京大学微电子学研究所	23	358	9.0	18.0