利用AFM动态电场在Si表面实现纳米氧化结构

• 作者: 胡小唐 胡晓东 郭彤
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 原子力显微镜 电场诱导阳极氧化 纳米加工 动态电场
• 年，卷（期）: 2002,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1182-1186
• 页数: 5页
• 分类号: TN16
• 字数: 3247字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.11.011

摘要

讨论利用原子力显微镜(AFM)动态电场诱导阳极氧化作用下Si表面生成纳米氧化结构的特征,并进行相应的机理分析.实验表明,直流电压作用下的氧化结构表现出单峰特征,而电压脉冲和连续方波所得到的氧化结构具有中央凹陷特征和较高的纵横比.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡小唐	天津大学精密测试技术及仪器国家重点实验室	205	1913	21.0	33.0
2	郭彤	天津大学精密测试技术及仪器国家重点实验室	46	370	11.0	17.0
3	胡晓东	天津大学精密测试技术及仪器国家重点实验室	86	712	15.0	23.0