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摘要:
利用磁控溅射方法在表面有SiO2层的Si基片上溅射Ta/NiFe薄膜,采用X射线光电子能谱(XPS)研究了SiO2/Ta界面以及Ta5Si3标准样品,并进行计算机谱图拟合分析.实验结果表明在制备态下在SiO2/Ta界面处发生了热力学上有利的化学反应:37Ta+15SiO2=5Ta5Si3+6Ta2O5,界面处形成更稳定的化合物新相Ta5Si3、Ta2O5.在采用Ta作阻挡层的ULSI铜互连结构中这些反应产物可能有利于对Cu扩散的阻挡.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 SiO2/Ta界面反应及其对铜扩散的影响
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 ULSI铜互连 扩散阻挡层 界面反应 X射线光电子能谱
年,卷(期) 2002,(10) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 1046-1050
页数 5页 分类号 TN405.97
字数 593字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.10.008
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 夏洋 中国科学院微电子中心 67 325 9.0 14.0
2 于广华 北京科技大学材料物理系 88 372 9.0 14.0
3 朱逢吾 北京科技大学材料物理系 54 229 8.0 12.0
4 张国海 中国科学院微电子中心 5 81 4.0 5.0
5 龙世兵 北京科技大学材料物理系 6 91 5.0 6.0
6 马纪东 北京科技大学材料物理系 9 52 4.0 7.0
7 赵洪辰 北京科技大学材料物理系 6 53 5.0 6.0
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研究主题发展历程
节点文献
ULSI铜互连
扩散阻挡层
界面反应
X射线光电子能谱
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
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