SiO2/Ta界面反应及其对铜扩散的影响

• 作者: 于广华 夏洋 张国海 朱逢吾 赵洪辰 马纪东 龙世兵
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: ULSI铜互连 扩散阻挡层 界面反应 X射线光电子能谱
• 年，卷（期）: 2002,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1046-1050
• 页数: 5页
• 分类号: TN405.97
• 字数: 593字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.10.008

摘要

利用磁控溅射方法在表面有SiO2层的Si基片上溅射Ta/NiFe薄膜,采用X射线光电子能谱(XPS)研究了SiO2/Ta界面以及Ta5Si3标准样品,并进行计算机谱图拟合分析.实验结果表明在制备态下在SiO2/Ta界面处发生了热力学上有利的化学反应:37Ta+15SiO2=5Ta5Si3+6Ta2O5,界面处形成更稳定的化合物新相Ta5Si3、Ta2O5.在采用Ta作阻挡层的ULSI铜互连结构中这些反应产物可能有利于对Cu扩散的阻挡.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏洋	中国科学院微电子中心	67	325	9.0	14.0
2	于广华	北京科技大学材料物理系	88	372	9.0	14.0
3	朱逢吾	北京科技大学材料物理系	54	229	8.0	12.0
4	张国海	中国科学院微电子中心	5	81	4.0	5.0
5	龙世兵	北京科技大学材料物理系	6	91	5.0	6.0
6	马纪东	北京科技大学材料物理系	9	52	4.0	7.0
7	赵洪辰	北京科技大学材料物理系	6	53	5.0	6.0