高压热处理对氧沉淀低温形核的影响

• 作者: A.Misiuk 徐进 李春龙 杨德仁 阙端麟 马向阳
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高压 氧沉淀 热施主 硅
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 394-398
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.1+2
• 字数: 3314字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.04.012

摘要

研究了外加高压(1GPa)下对450℃热处理硅片中氧沉淀行为的影响.透射电镜观察表明相对于大气压下热处理的样品,高压处理的样品会产生密度更高、尺寸更小的氧沉淀,表明高压有利于小直径氧沉淀的生成.电学性能测试表明,高压下处理的样品其热施主生成浓度和生成速率远远高于常压下处理的样品,这表明热施主与低温热处理过程中生成的高浓度氧沉淀核心有密切的关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨德仁	浙江大学硅材料国家重点实验室	180	1513	20.0	31.0
2	马向阳	浙江大学硅材料国家重点实验室	60	404	10.0	17.0
3	阙端麟	浙江大学硅材料国家重点实验室	72	612	13.0	20.0
4	徐进	浙江大学硅材料国家重点实验室	43	501	10.0	21.0
5	李春龙	浙江大学硅材料国家重点实验室	2	9	2.0	2.0
6	A.Misiuk	波兰科学院电子技术研究所	1	5	1.0	1.0