在Si(111)上磁控溅射碳化硅薄膜的H2退火效应

• 作者: 安霞 庄惠照 李怀祥 杨莺歌 薛成山
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 磁控溅射 碳化硅 薄膜 氢退火 碳纳米线
• 年，卷（期）: 2002,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 593-598
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.2+4
• 字数: 2876字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.06.007

摘要

用射频磁控溅射法在常温硅衬底上制备了碳化硅薄膜并研究了氢退火对薄膜的影响.用傅里叶红外透射谱(FTIR)、X射线衍射(XRD)、X光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)及原子力显微镜(AFM)对薄膜样品进行了结构、组分和形貌分析.结果表明:高温退火后SiC膜的晶化程度明显提高,而且在薄膜中观察到了碳纳米线的形成.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	庄惠照	山东师范大学半导体研究所	72	276	9.0	11.0
2	薛成山	山东师范大学半导体研究所	117	476	11.0	13.0
3	李怀祥	山东师范大学半导体研究所	44	210	7.0	12.0
4	杨莺歌	山东大学物理与微电子学院	8	124	5.0	8.0
5	安霞	山东师范大学半导体研究所	6	48	5.0	6.0