用侧向外延生长法降低立方相GaN中的层错密度

• 作者: 付羿 冯志宏 冯淦 张宝顺 杨辉 沈晓明
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 立方相GaN MOVPE 侧向外延 SEM TEM
• 年，卷（期）: 2002,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1093-1097
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 3061字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.10.017

摘要

尝试用侧向外延(ELOG)方法来降低立方相GaN中的层错密度.侧向外延是在SiO2/GaN/GaAs图形衬底上进行的,对生长所得的立方相GaN外延层用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)进行了观察和分析,TEM的平面像表明经过ELOG方法生长后,立方相GaN外延层中的层错密度由侧向外延生长前的5×109cm-2降低至生长后的6×108cm-2.双晶X射线衍射(DCXRD)测量给出侧向外延前后外延层ω扫描(002)衍射摇摆曲线的半高宽(FWHM)分别为33′和17.8′,表明晶体质量有了较大改善.对立方相GaN侧向外延过程中层错减少的机制进行了讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈晓明	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	17	54	5.0	6.0
3	冯志宏	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	4	7	1.0	2.0
4	张宝顺	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	13	29	3.0	5.0
5	冯淦	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	2	186	2.0	2.0
8	付羿	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	1	7	1.0	1.0