端接配体原子的电负性对磁耦合作用的影响

• 作者: 刘成卜 胡海泉 陈志达
• 来源期刊: 化学学报
• 学科: 化学
• 关键词: 端接配体 电负性 磁耦合 密度泛函 对称性破损近似
• 年，卷（期）: 2002,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1794-1797
• 页数: 4页
• 分类号: O6
• 字数: 3293字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0567-7351.2002.10.011

摘要

应用微扰理论,分析了端接配体原子的电负性对体系磁耦合作用的影响.研究表明,随着端接配体原子电负性的增大,磁中心间的耦合作用减弱.应用密度泛函理论和对称性破损方法对双核铜(Ⅱ)模型体系进行了计算,计算结果验证了上述结论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘成卜	山东大学理论化学研究所	73	311	10.0	14.0
2	陈志达	北京大学化学与分子工程学院稀土材料化学及应用国家重点实验室	29	172	7.0	12.0
3	胡海泉	北京大学化学与分子工程学院稀土材料化学及应用国家重点实验室	1	0	0.0	0.0