纳电子器件谐振隧道二极管的研制

• 作者: 周均铭 张世林 张豫黔 杨中月 梁惠来 牛萍娟 王文君 王文新 赵振波 郝景臣 郭维廉 魏碧华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 纳电子器件 谐振隧道二极管 砷化镓
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 91-94
• 页数: 4页
• 分类号: TN312+.2
• 字数: 1700字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.01.021

摘要

采用分子束外延方法在砷化镓衬底上生长了双垒单阱结构,然后用常规半导体器件工艺制成了谐振隧穿二极管(RTD),有相当好的I-V特性.对于5μm×5μm的RTD器件,在室温条件下,测得其峰谷比最大可到7.6∶1,最高振荡频率大于26GHz.