超高斯光束截割对多级电离产额的影响

• 作者: 俞书勤 张立敏 蒋志平 魏计林
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 超高斯光束 截割 多级电离
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 所属期刊栏目: 原子和分子物理学
• 页码范围: 42-48
• 页数: 7页
• 分类号: O4
• 字数: 3119字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.01.009

摘要

针对光强为超高斯分布的激光束被圆孔截割的情况计算了聚焦区的光强度分布,给出了依赖于激光强度的理论电离体积,并由此研究多光子电离过程中多级电离的电离产额对激光强度的相关性.作为例子,计算了焦点处1013-1016Wcm-2强度范围内Xe的多级电离产额.结果表明:随着超高斯光束截割的增加,电离产额在饱和区呈现出明显的起伏和抑制效应.当超高斯光束的阶数n增加到一定程度(如n>2)或对大的截割条件(ρa=1),电离产额曲线的形状对n的依赖性将变得"迟钝".计算给出的电离产额曲线上的这种起伏和抑制有可能用于解释已经报道的Xe的多级电离实验结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	俞书勤	中国科学院选键化学开放实验室中国科学技术大学化学物理系	23	98	3.0	9.0
2	张立敏	中国科学院选键化学开放实验室中国科学技术大学化学物理系	9	9	2.0	2.0
3	魏计林	太原重型机械学院应用科学系	6	6	2.0	2.0
4	蒋志平	国防科技大学光学系	2	25	1.0	2.0