用离子束增强沉积从V2O5粉末制备高热电阻温度系数VO2薄膜

• 作者: 李金华 林成鲁 袁宁一 陈王丽华
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 离子束增强沉积 VO2薄膜 热电阻温度系数
• 年，卷（期）: 2002,（8）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 1788-1792
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3680字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.08.025

摘要

采用了一种用离子束增强沉积从V2O5粉末直接制备VO2薄膜的新方法, 将纯度为99.7%的V2O5粉末压成溅射靶,在用Ar离子束溅射的同时,用氩氢混合束对沉积膜作高剂量离子注入,使沉积膜中V2O5的V-O键断裂,进而被注入的氢还原,退火后获得热电阻温度系数(TCR)高达4%的VO2薄膜.高剂量的氩氢混合束注入对薄膜引入应力,使薄膜的转换温度降低、电阻-温度曲线斜率变大,是薄膜TCR增大的原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈王丽华	香港理工大学应用物理系及材料研究中心	27	186	7.0	13.0
2	李金华	江苏石油化工学院信息科学系	13	94	6.0	9.0
5	林成鲁	中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室	44	595	15.0	23.0
12	袁宁一	江苏石油化工学院信息科学系	7	100	4.0	7.0