4H-SiC射频功率MESFET的自热效应分析

• 作者: 张义门 张玉明 杨林安 龚仁喜
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 4H-SiC 射频 MESFET 直流I-V特性 自热效应
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 148-152
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3911字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.01.026

摘要

采用载流子速度饱和理论,建立了包含"自热效应"影响的适用于4H-SiC MESFET的大信号输出I-V特性解析模型,在模型中引入了温度变化的因素,提出了非恒定衬底环境温度T0的热传导模型,模拟结果与实验值一致,证明基于这种模型的理论分析符合器件测试及应用的实际情况.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子研究所	129	835	15.0	21.0
2	龚仁喜	西安电子科技大学微电子研究所	13	185	10.0	13.0
3	杨林安	西安电子科技大学微电子研究所	17	95	6.0	9.0
4	张玉明	西安电子科技大学微电子研究所	126	777	15.0	20.0