SI-GaAs单晶中深能级陷阱退火特性研究

• 作者: 谢自力
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 半绝缘砷化镓 深陷阱 热处理 光致电流瞬态谱
• 年，卷（期）: 2002,（7）
• 所属期刊栏目: 专题报道
• 页码范围: 10-12,17
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 2070字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2002.07.005

摘要

研究了LEC-SI-GaAs单晶热处理前后深能级陷阱的变化,比较了原生晶体在不同条件的热退火后SI-GaAs单晶中深能级陷阱的特性,分析了产生变化的原因,并讨论了LEC-SI-GaAs中两个主要深能级陷阱EL2和EL6的可能构型.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢自力		11	34	4.0	5.0