氢化纳米硅薄膜光电性质及其应用研究进展

• 作者: 王天民 王聪 韦文生
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜 光电性质 量子功能器件
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 所属期刊栏目: 材料综述
• 页码范围: 37-39
• 页数: 3页
• 分类号: TB3
• 字数: 4476字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-023X.2002.02.013

摘要

氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜具有室温下的高电导率、电致发光及光致发光等独特的性能,可应用于超大规模集成电路中,因而引起人们广泛的研究兴趣.简单地综述了国内外有关nc Si:H薄膜的制备方法、导电机理、发光机理及其应用于量子功能器件等方面的研完工作.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王天民	北京航空航天大学理学院材料物理与化学研究中心	140	1545	22.0	32.0
2	韦文生	北京航空航天大学理学院材料物理与化学研究中心	12	50	4.0	6.0
3	王聪	北京航空航天大学理学院材料物理与化学研究中心	45	510	12.0	21.0