SiGe HBT和Si BJT的γ射线辐照效应比较

• 作者: 孟祥提 康爱国 王吉林 贾宏勇 钱佩信 陈培毅
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe HBT Si BJT γ射线辐照 直流电学特性
• 年，卷（期）: 2002,（12）
• 所属期刊栏目: 支撑技术
• 页码范围: 68-71
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+4
• 字数: 1906字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2002.12.021

摘要

比较了经剂量为400 krad(Si)的Y射线辐照后SiGe HBT和Si BJT直流电学性能的变化.通常SiGe HBT辐照后的Ib增加,Ic下降,直流放大倍数变化很小;Si BJT辐照后的Ib增加,而Ic通常也增加,并且变化幅度很大,直流放大倍数明显下降,相同剂量下变化幅度比SiGe HBT约高一个量级.表明SiGe HBT比Si BJT有更好的抗辐照性能,并对辐照导致的电特性的变化原因进行了初步解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈培毅	清华大学微电子学研究所	52	245	10.0	12.0
2	钱佩信	清华大学微电子学研究所	29	158	7.0	11.0
3	贾宏勇	清华大学微电子学研究所	10	86	5.0	9.0
4	孟祥提	清华大学核能技术设计研究院	6	52	4.0	6.0
5	康爱国	清华大学核能技术设计研究院	4	32	3.0	4.0
6	王吉林	清华大学微电子学研究所	8	41	4.0	6.0