三缺位杂多阴离子α-A-PW9O9-34的苯基硅衍生物的合成和晶体结构

• 作者: 李明雪 牛景扬 王敬平
• 来源期刊: 高等学校化学学报
• 学科: 化学
• 关键词: 苯基硅 三缺位杂多阴离子 合成 晶体结构
• 年，卷（期）: 2002,（9）
• 页码范围: 1656-1659
• 页数: 4页
• 分类号: O614.61+3
• 字数: 3465字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0251-0790.2002.09.005

摘要

合成了三缺位杂多阴离子的苯基硅衍生物(TBA)3[α-A-PW9O34(PhSiO)3(PhSi)]*2H2O(记为1, TBA为四丁基铵阳离子), 并由元素分析、红外光谱、紫外光谱对化合物进行了表征, 研究了化合物的热性质. 结构分析结果表明, 该化合物属三方晶系, 空间群R3, 晶胞参数a=1.416 96(16) nm, b=1.421 63(16) nm , c=1.416 61(16) nm, α=99.801(17)°, β=99.843(17)°, γ=99.844(17)°, V=2.711 1(5) nm3. Z=1, R=0.054 8. 该化合物的阴离子是由1个α-A-PW9单元, 通过6个W-O-Si桥键与3个PhSiO单元相连, 3个PhSiO又通过Si-O-Si桥键与另1个处于帽位的PhSi相连, 形成饱和闭合笼形结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王敬平	河南大学化学化工学院	71	358	9.0	14.0
2	牛景扬	河南大学化学化工学院	40	233	9.0	13.0
3	李明雪	河南大学化学化工学院	23	38	4.0	4.0