在Si(111)-(7×7)表面自组织生长二维Ge团簇超晶格

• 作者: 庞世谨 张永平 彭毅萍 闫隆 高鸿钧
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 扫描隧道显微镜(STM),Si(111)-(7×7)表面,二维Ge团簇超晶格
• 年，卷（期）: 2002,（5）
• 所属期刊栏目: 总论
• 页码范围: 1017-1021
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 2683字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.05.016

摘要

利用超高真空扫描隧道显微镜研究了室温条件下亚单层Ge在Si(111)-(7×7)表面上的自组织生长.通过控制Ge的沉积量,在Si(111)-(7×7)表面上自组织生长成一种具有六重对称性的二维Ge团簇超晶格.构成超晶格的Ge团簇均位于(7×7)亚单胞的位置上,而且它们的形状和大小基本保持一致.文中对这种自组织结构的形成机理进行了讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高鸿钧	中国科学院物理研究所和凝聚态物理中心北京真空物理开放实验室	44	262	10.0	14.0
2	张永平	中国科学院物理研究所和凝聚态物理中心北京真空物理开放实验室	6	26	3.0	5.0
3	庞世谨	中国科学院物理研究所和凝聚态物理中心北京真空物理开放实验室	4	6	1.0	2.0
4	闫隆	中国科学院物理研究所和凝聚态物理中心北京真空物理开放实验室	11	17	2.0	4.0
5	彭毅萍	中国科学院物理研究所和凝聚态物理中心北京真空物理开放实验室	2	0	0.0	0.0