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摘要:
报道了GeS2和GeSe2非晶半导体薄膜经过光照后, 薄膜的光学透射边均出现绿移, 这种绿移在预先退火后的薄膜中是可逆的, 即退火薄膜经光照后光学透射边的绿移可以通过对薄膜进行第2次退火而使薄膜的光学透射边恢复到原来第1次退火的位置. 通过透射电子显微镜测试, 在光照后的GeS2和GeSe2薄膜中观察到光致结晶现象. 利用薄膜的这些光致效应特性可以设计出新型的光存储材料.
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文献信息
篇名 非晶硫系玻璃半导体Ge(S, Se)2薄膜的光致效应
来源期刊 科学通报 学科 工学
关键词 GeS2和GeSe2非晶半导体薄膜 光致漂白 光致结晶 光存储
年,卷(期) 2002,(8) 所属期刊栏目 简报
研究方向 页码范围 569-571
页数 3页 分类号 TN3
字数 2843字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0023-074X.2002.08.002
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研究主题发展历程
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GeS2和GeSe2非晶半导体薄膜
光致漂白
光致结晶
光存储
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