InAs自组装量子点GaAs肖特基二级管的电学特性研究

• 作者: 王太宏 赵继刚 邵彬
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 迟滞现象 自组装量子点 共振隧穿
• 年，卷（期）: 2002,（6）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：结构、热学和力学性质
• 页码范围: 1355-1359
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 2642字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.06.039

摘要

分析研究了GaAs/InAs自组装量子点的电输运性质,通过对实验数据的分析,讨论了Schottky势垒对InAs量子点器件的影响和I-V曲线中迟滞回路以及电导曲线中台阶结构产生的原因.迟滞回路和台阶的出现与电场中量子点的充放电过程相关:迟滞回路反映了量子点充电后对载流子的库仑作用,而电导台阶则反映了量子点因共振隧穿的放电现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王太宏	中国科学院物理研究所	47	240	9.0	13.0
2	邵彬	中国科学院物理研究所	18	52	5.0	7.0
4	赵继刚	中国科学院物理研究所	7	7	1.0	2.0