全息存储—下一代存储解决方案

• 作者: 李伟 裴先登 谢长生
• 来源期刊: 计算机应用研究
• 关键词: 全息数据存储 DMD CMOS APS 存储材料
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 所属期刊栏目: 研究探讨
• 页码范围: 14-16
• 页数: 3页
• 分类号: TP333.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-3695.2002.04.005

摘要

在过去的十几年中,人们对大容量和高速传率的追求不断升级,特别是随着网络和多媒体技术的广泛应用,这种需求更是急剧膨胀.对大容量、高速传率和短存取时间的永无休止的需求,促进了各种数据存储技术的发展.二维存储技术,如磁存储、传统光盘存储和半导体存储等仍在不断地改进以满足对存储系统更大和更快等要求,然而这些存储手段正逐步接近其物理极限.目前正在迅速发展的一种有别于传统技术的方法就是三维存储技术,如全息存储等.全息存储技术以其存储密度和数据读出率高及相关内容寻址等特点极有可能成为下一代的存储解决方案.但由于缺乏合适的存储材料及实用部件,全息存储器的实用化进程较为迟缓.近年来,用于全息存储系统的实用组件的极大发展,再一次引起了研究人员对这一技术的兴趣,实用化的全息存储器呼之欲出,更加巩固了全息存储下一代存储解决方案的地位.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李伟	华中科技大学计算机学院外存储系统国家专业实验室	180	1273	20.0	29.0
2	谢长生	华中科技大学计算机学院外存储系统国家专业实验室	348	4405	33.0	51.0
3	裴先登	华中科技大学计算机学院外存储系统国家专业实验室	39	366	9.0	18.0