用磁控溅射和真空硒化退火方法制备高质量的铜铟硒多晶薄膜

• 作者: 全胜文 孟铁军 张保澄 朱凤 王莉芳 谢大弢 赵夔 陈佳洱
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 铜铟硒多晶薄膜 磁控溅射 真空硒化 太阳能电池
• 年，卷（期）: 2002,（6）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 1377-1382
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 3997字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.06.043

摘要

用双靶磁控溅射的方法在玻璃衬底上制备了Cu11In9合金薄膜,然后将Cu11In9合金薄膜封闭在石墨盒中进行真空硒化退火得到CuInSe2 薄膜.用扫描电子显微镜(SEM)和X射线粉末衍射(XRD)对CuInSe2薄膜进行了表征,结果表明CuInSe2薄膜具有单一的晶相,均匀、致密的结构,以及粒径超过了3μm的晶粒.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孟铁军	北京大学物理学院重离子物理研究所	3	75	2.0	3.0
2	赵夔	北京大学物理学院重离子物理研究所	33	190	7.0	12.0
3	谢大弢	北京大学物理学院重离子物理研究所	10	83	5.0	9.0
4	张保澄	北京大学物理学院重离子物理研究所	12	106	4.0	10.0
5	王莉芳	北京大学物理学院重离子物理研究所	5	75	2.0	5.0
6	朱凤	北京大学物理学院重离子物理研究所	17	94	4.0	9.0
7	全胜文	北京大学物理学院重离子物理研究所	17	44	3.0	6.0