离子束辅助沉积碳膜抑制栅电子发射研究

• 作者: 任琮欣 刘炎源 刘静贤 朱宏 柳襄怀 江炳尧
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 钼栅极 电子发射 离子束辅助沉积
• 年，卷（期）: 2002,（5）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 661-663
• 页数: 3页
• 分类号: TN124
• 字数: 2649字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2002.05.013

摘要

本文利用离子束辅助沉积方法在钼栅极的表面镀上一层碳膜,采用模拟二极管的方法测量阴极活性物质Ba、BaO蒸发沉积在镀碳钼栅与纯钼栅表面后的电子发射性能.测量结果表明,镀碳钼栅的电子发射量显著减少.依据XPS、电子探针对钼栅极表面阴极发射物的分析结果,初步探讨了离子束辅助沉积碳膜抑制栅电子发射的机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	柳襄怀	中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室	20	202	9.0	14.0
2	朱宏	中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室	8	224	7.0	8.0
3	任琮欣	中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室	4	30	4.0	4.0
4	江炳尧	中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室	5	21	3.0	4.0
5	刘炎源	中国科学院电子学研究所	2	10	2.0	2.0
6	刘静贤	中国科学院电子学研究所	1	7	1.0	1.0