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摘要:
采用聚四氟乙烯充当绝缘材料, 利用全蒸镀法制备得到了有机薄膜场效应晶体管. 源极和漏极采用氧化铟锡, 半导体层和绝缘层分别由铜酞菁和聚四氟乙烯充当, 栅极采用银电极. 在利用光刻制备沟道长度为50 μm的源极和漏极后, 依次真空沉积铜酞菁层、聚四氟乙烯层和银层, 得到器件的电子迁移率为1.1×10-6 cm2@(V@s)-1, 开关电流比大于500.
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文献信息
篇名 有机薄膜场效应晶体管的研制
来源期刊 科学通报 学科 工学
关键词 有机薄膜晶体管 铜酞菁 聚四氟乙烯
年,卷(期) 2002,(8) 所属期刊栏目 简报
研究方向 页码范围 580-583
页数 4页 分类号 TN3
字数 2860字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0023-074X.2002.08.005
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