三个新的稳定硅表面及其家族领地

• 作者: 周立 姜金龙 李文杰 杨威生 赵汝光
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 高指数表面 硅 铟 小面化
• 年，卷（期）: 2002,（11）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：结构、热学和力学性质
• 页码范围: 2567-2574
• 页数: 8页
• 分类号: O4
• 字数: 4827字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.11.029

摘要

为了对稳定硅表面进行广泛的搜索,利用低能电子衍射 (LEED) 研究了13个散布在极射投影三角内各处的高指数硅表面:Si(10 4 13), (6 2 7), (8 4 11), (4 1 10), (2 1 5), (5 1 10), (5 2 10), (5 1 5), (5 1 6), (4 0 5), (12 4 19), (12 3 14) 和(12 3 16).结果发现这些清洁的硅表面都不稳定,因为在被充分退火后,它们会彻底小面化成为分属一个或几个稳定表面的小面.提出了一套行之有效的方法,使小面化表面的复杂LEED图得以可靠地标定,进而确定了全部出现的稳定表面的指数.除已知的Si(15 3 23)外,还发现三个新的稳定表面,即Si(20 4 23), (3 1 4)和(3 1 7).同时也粗略地确定了它们的家族领地.