界面态电荷对6H碳化硅N沟MOSFET阈值电压和跨导的影响

• 作者: 张义门 张玉明 汤晓燕
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 碳化硅 界面态 阈值电压 跨导
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 所属期刊栏目: 核物理学
• 页码范围: 771-775
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3369字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.04.013

摘要

针对界面态密度在禁带中的不均匀分布，并且考虑到碳化硅材料中杂质的不完全离化，分析了界面态电荷对N沟6H碳化硅MOSFET阈值电压和跨导的影响。结果显示界面态密度的不均匀分布不仅使阈值电压增大，而且还会导致器件跨导变低，它是影响SiC MOSFET 特性的一个重要因素。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子研究所	129	835	15.0	21.0
2	张玉明	西安电子科技大学微电子研究所	126	777	15.0	20.0
3	汤晓燕	西安电子科技大学微电子研究所	24	144	7.0	11.0