CdSe/HgSe/CdSe量子点量子阱(QDQW)晶粒的光学性质和电子结构

• 作者: 徐岭 李明海 陈坤基 马懿 黄信凡
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 量子点量子阱晶体 能带剪裁 加强的带边荧光峰
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 877-881
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3473字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.04.033

摘要

以CdSe纳米晶体为核,用胶体化学的方法,通过化学替代反应,获得了不同阱层或不同垒层的CdSe/HgSe/CdSe量子点量子阱( QDQW)晶体.紫外-可见光吸收谱研究表明,通过调节QDQW中间HgSe阱层的厚度从0.9*!nm至0,可以调节QDQW颗粒的带隙从1.8变化至2.1*!eV,实现QDQW纳米晶体的剪裁.光致荧光(PL)谱研究显示,QDQW形成后,CdSe/HgSe纳米颗粒表面态得到钝化,显现出发光强度加强的带边荧光峰.利用有效质量近似模型,对QDQW晶粒内部电子的1s-1s态进行了估算,估算结果总体趋势与实验数据相符.