超薄晶体膜生长过程的计算机模拟

• 作者: 丁天骅 王培林 蔡珣
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 晶体膜 模型 模拟
• 年，卷（期）: 2002,（9）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 2109-2112
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 2967字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.09.036

摘要

建立一种新模型,模拟超薄晶体膜生长过程.通过引入网格和俘获截面的概念来归一化处理错综复杂的原子间相互作用,研究了扩散、衬底温度等因素对Ge/Si超薄晶体膜生长形式的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡珣	上海交通大学材料科学与工程学院教育部高温材料与高温测试重点实验室	76	873	16.0	25.0
2	王培林	上海交通大学材料科学与工程学院教育部高温材料与高温测试重点实验室	1	10	1.0	1.0
3	丁天骅	上海交通大学材料科学与工程学院教育部高温材料与高温测试重点实验室	1	10	1.0	1.0