GaN场发射高分辨电子显微像的图像处理-显示GaN中原子分辨率晶体缺陷的可能性

• 作者: 李方华 王怀斌
• 来源期刊: 金属学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN 晶体缺陷 高分辨电子显微学 场发射电子显微镜 解卷处理
• 年，卷（期）: 2002,（6）
• 页码范围: 589-592
• 页数: 4页
• 分类号: O766|O77
• 字数: 3058字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0412-1961.2002.06.006

摘要

本文介绍了场发射高分辨电子显微像的图像处理原理,用300 kV场发射电子显微镜的参数模拟了GaN完整晶体和缺陷晶体结构模型的显微像.经过处理的显微像上能够分辨间距为0.112nm的Ga和N原子,并能显示N原子空位.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王怀斌	中国科学院物理研究所和中国科学院凝聚态物理中心	23	547	16.0	23.0
2	李方华	中国科学院物理研究所和中国科学院凝聚态物理中心	31	48	4.0	5.0