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摘要:
给出了浮栅ROM器件在钴源和北京同步辐射装置(BSRF)3W1白光束线辐照的实验结果;比较了两种辐照的实验结果及其损伤异同性.通过实验在线测得位错误数随总剂量的变化,给出相同累积剂量时x射线辐照和γ射线辐照的总剂量效应损伤等效关系.获得了浮栅ROM器件x射线剂量增强因子.这些结果对器件抗x射线辐射加固技术研究有重要价值.
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内容分析
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关键词热度
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文献信息
篇名 浮栅ROM器件x射线剂量增强效应实验研究
来源期刊 物理学报 学科 物理学
关键词 EEPROM x射线 剂量增强剂量效应 同步辐射
年,卷(期) 2002,(10) 所属期刊栏目 凝聚物质:结构、热学和力学性质
研究方向 页码范围 2315-2319
页数 5页 分类号 O4
字数 3176字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.10.028
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张义门 西安电子科技大学微电子所 129 835 15.0 21.0
2 周辉 84 938 16.0 26.0
3 郭红霞 西安电子科技大学微电子所 81 385 10.0 13.0
5 陈雨生 36 433 11.0 19.0
6 韩福斌 12 56 4.0 6.0
9 贺朝会 16 193 8.0 13.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
EEPROM
x射线
剂量增强剂量效应
同步辐射
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
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相关学者/机构
期刊影响力
物理学报
半月刊
1000-3290
11-1958/O4
大16开
北京603信箱
2-425
1933
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