耗散介观电容耦合电路的量子涨落

• 作者: 刘波 王心福 龙超云
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 耗散电容耦合电路 量子涨落
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 159-162
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 2760字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.01.028

摘要

给出耗散介观电容耦合电路的量子化,在此基础上研究电荷和电流在能量本征态下的量子涨落,并对其进行讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘波	中国科学院半导体研究所	266	2712	24.0	39.0
2	龙超云	贵州大学物理系	37	118	5.0	9.0
3	王心福	北京理工大学化工与材料学院	2	38	2.0	2.0