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单电子晶体管通断图及其分析
单电子晶体管通断图及其分析
作者:
吴凡
王太宏
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
单电子晶体管,
库仑阻塞,
隧穿
摘要:
通过研究单电子晶体管在电路中的静电能量的变化,得到了它的阻塞、导通情况与其两端偏压和控制栅压之间的关系,从而给出了它的通断图.并且发现单电子晶体管的对外特性主要由其对外的总电容决定;而单电子岛两个隧道结电容的不同主要反映在通断图上由隧道结电容所决定的晶体管阻塞、导通边界线上,这两条边界线同时也与外电路有关.
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内容分析
文献信息
引文网络
相关学者/机构
相关基金
期刊文献
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数
(/次)
(/年)
文献信息
篇名
单电子晶体管通断图及其分析
来源期刊
物理学报
学科
物理学
关键词
单电子晶体管,
库仑阻塞,
隧穿
年,卷(期)
2002,(12)
所属期刊栏目
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
研究方向
页码范围
2829-2835
页数
7页
分类号
O4
字数
3994字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:1000-3290.2002.12.028
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
王太宏
中国科学院物理研究所
47
240
9.0
13.0
2
吴凡
中国科学院物理研究所
19
138
7.0
11.0
传播情况
被引次数趋势
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引文网络
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2015(1)
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二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
单电子晶体管,
库仑阻塞,
隧穿
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
物理学报
主办单位:
中国物理学会
中国科学院物理研究所
出版周期:
半月刊
ISSN:
1000-3290
CN:
11-1958/O4
开本:
大16开
出版地:
北京603信箱
邮发代号:
2-425
创刊时间:
1933
语种:
chi
出版文献量(篇)
23474
总下载数(次)
35
总被引数(次)
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