α-SiC (1010)表面结构的第一性原理计算

• 作者: 徐彭寿 徐法强 潘海斌 谢长坤
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 碳化硅, FPLAPW方法 , 电子结构
• 年，卷（期）: 2002,（12）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2804-2811
• 页数: 8页
• 分类号: O4
• 字数: 6182字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.12.024

摘要

用全势缀加平面波方法(FPLAPW)计算了α-SiC及其非极性(1010)表面的原子与电子结构.计算出的α-SiC晶体结构参量:晶格常量和体积弹性模量与实验值符合得很好.用平板超原胞模型来计算α-SiC(1010)表面的原子与电子结构,结果表明表面顶层原子发生键长收缩并扭转的弛豫特性,表面阳离子Si,C向体内方向发生不同程度的位移.表面重构的机理为Si,C原子由原来的sp3杂化方式退化为sp2杂化,与其三配位异种原子近似以平面构型成键.另外,表面弛豫实现表面由半金属性至半导体性的转变.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐彭寿	中国科学技术大学结构分析开放实验室	70	488	10.0	19.0
5	潘海斌	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	26	230	5.0	15.0
6	徐法强	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	41	370	7.0	18.0
7	谢长坤	中国科学技术大学结构分析开放实验室	8	58	4.0	7.0