4H-SiC纳米薄膜的微结构及其光电性质研究

• 作者: 周雪梅 张洪涛 徐重阳 曾祥斌 王长安 赵伯芳 邹雪城
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 4H-SiC PECVD 纳米结构 多型薄膜 纳米电子学
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 304-309
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 4919字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.02.019

摘要

采用新设计的电极结构的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在高功率密度、高氢稀释比、低温、偏压及低反应气压的条件下,在衬底表面形成双等离子流,增加了衬底表面SiC的成核概率,增强成核作用,形成纳米晶.采用高H2等离子体刻蚀弱的、扭曲的、非晶Si-C及Si-Si和Si-H等键时,由于H等离子体对纳米SiC晶粒与非晶态键的差异刻蚀作用,产生自组织生长,发生晶化.Raman光谱和透射电子衍射(TEM)的测试结果表明,纳米晶SiC是4H-SiC多型结构.电子显微照片表明平均粒径为16nm,形状为微柱体.实验结果指出,SiC纳米晶的形成必须经过偏压预处理成核,并且其晶化存在一个功率密度阈值;当低于这一功率密度阈值时,晶化消失;当超过这一阈值时,纳米晶含量随功率密度的提高而增加.随着晶化作用的加强,电导率增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邹雪城	华中科技大学电子科学与技术系	310	2261	21.0	31.0
2	徐重阳	华中科技大学电子科学与技术系	85	592	12.0	19.0
3	曾祥斌	华中科技大学电子科学与技术系	45	285	10.0	14.0
4	王长安	华中科技大学电子科学与技术系	23	163	7.0	11.0
5	赵伯芳	华中科技大学电子科学与技术系	11	38	4.0	6.0
6	周雪梅	华中科技大学电子科学与技术系	9	42	4.0	6.0
7	张洪涛	华中科技大学电子科学与技术系	22	97	4.0	8.0